近日，中国科学院发布了新型全环绕栅极（GAA）晶体管的研究成果，该架构在DUV光刻机上达到了超过50万倍的开关比性能，理论上可以实现3nm的等效性能。GAA晶体管与传统的FinFET不同，其栅极从多个方向包围电流通道，能更精确地控制电流，就像用整个手掌而非手指握住水管，几乎消除了漏电现象。

此次新开发的GAA晶体管表现出超过50万的开关比，意味着其开关时流过的电流可达到关闭时的50万倍，显示出卓越的电气控制能力。更为重要的是，这些晶体管是在DUV光刻机上制造的。尽管DUV光刻机的分辨率不足以直接制作3nm电路，通常只能通过多重曝光和浸没模式达到7nm，但中科院的新架构通过放宽晶体管之间的间距，理论上为DUV工艺提供了向3nm等效性能迈进的可能途径。

然而，实际的生产过程仍面临一些挑战。芯片制造分为前道、中道以及后道三个环节。中科院的新型晶体管解决了前道的瓶颈问题，但中道的金属互连和后道铺设仍未得到改善。这一突破表明，在缺乏EUV光刻设备的情况下，中国的芯片产业依然能够从DUV技术走向更先进的制程。然而，中道和后道环节的限制将直接影响这一路径的实际可行性。 球友会